3月26日，2025上海汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)在上海舉辦。作為從研發(fā)到應(yīng)用落地的橫跨汽車產(chǎn)業(yè)鏈上下游的專業(yè)展示平臺(tái)，ATC 2025汽車動(dòng)力、熱管理、測(cè)試展匯聚400+國(guó)內(nèi)外汽車總成、零部件行業(yè)頭部企業(yè)，數(shù)萬(wàn)專業(yè)觀眾共聚現(xiàn)場(chǎng)，共話新能源汽車行業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

賽晶科技作為新能源產(chǎn)業(yè)鏈核心器件和創(chuàng)新技術(shù)型企業(yè)，攜自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊亮相并發(fā)表主題報(bào)告。



本次大會(huì)上，賽晶半導(dǎo)體技術(shù)支持兼市場(chǎng)總監(jiān)馬先奎就《高可靠性SiC/Si芯片及其在車規(guī)級(jí)功率模塊》為主題發(fā)表演講，與會(huì)者反響熱烈。


賽晶SiC MOSFET芯片，采用多項(xiàng)行業(yè)領(lǐng)先的特色設(shè)計(jì)和工藝，具有高速開(kāi)關(guān)、超低導(dǎo)通電阻，以及高可靠性和良好的溫度特性。

賽晶科技SiC MOSFET芯片



不僅如此，源于出色的設(shè)計(jì)和工藝，賽晶SiC MOSFET芯片在高溫工作條件下，展現(xiàn)出了極佳的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，并且達(dá)到了行業(yè)一流水平的1200V/13mΩ@25度(24mΩ@175度)。此外，我們還研發(fā)出了1400V/17mΩ產(chǎn)品，以適應(yīng)更高電驅(qū)1000V平臺(tái)的發(fā)展需求。



此外，采用此SiC MOSFET芯片，賽晶還推出了多規(guī)格、型號(hào)的車規(guī)級(jí)、高性能HEEV封裝、EVD封裝SiC模塊。



HEEV封裝SiC模塊具有低雜感、體積小等特點(diǎn)，采用壓注封裝且一改經(jīng)典串聯(lián)水冷模式采用并聯(lián)無(wú)底板設(shè)計(jì)大大提高了其散熱效率，能夠?qū)iC芯片的性能得到更充分的發(fā)揮，助力客戶實(shí)現(xiàn)高達(dá)250kW最緊湊電驅(qū)的實(shí)現(xiàn)。


EVD封裝SiC模塊通過(guò)優(yōu)化內(nèi)部布局，采用創(chuàng)新的針腳封裝和工藝設(shè)計(jì)，賽晶模塊MOSFET導(dǎo)通電阻降低10%~30%、封裝阻抗降低約1/3。EVD封裝產(chǎn)品有Si和SiC兩種類型，該產(chǎn)品可以讓客戶能夠最大可能的借鑒既有Si產(chǎn)品的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)可以有靈活的商務(wù)供應(yīng)。



同期展會(huì)上，賽晶展出的i20 IGBT芯片、SiC芯片，以及針對(duì)電動(dòng)汽車開(kāi)發(fā)的高可靠性HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC模塊、BEVD封裝IGBT模塊。此外，還帶來(lái)工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品“ED封裝IGBT模塊、ST封裝IGBT模塊、EP封裝IGBT模塊和FP封裝IGBT模塊”，受到了與會(huì)技術(shù)專家和客戶的高度關(guān)注，吸引眾多國(guó)內(nèi)外與會(huì)者、現(xiàn)場(chǎng)嘉賓的高度關(guān)注和深入交流。


隨著科技的飛速發(fā)展和全球環(huán)保意識(shí)的不斷增強(qiáng)，新能源汽車市場(chǎng)正以前所未有的速度演進(jìn)。賽晶科技憑借國(guó)際一流的技術(shù)水平和卓越的性能表現(xiàn)，在電動(dòng)汽車、新能源發(fā)電與儲(chǔ)能領(lǐng)域的強(qiáng)大技術(shù)實(shí)力，贏得國(guó)內(nèi)外業(yè)內(nèi)專家和客戶的一致認(rèn)可和高度贊譽(yù)，為助力和推動(dòng)新能源汽車行業(yè)蓬勃發(fā)展，作出應(yīng)有的貢獻(xiàn)。