

3588-派恩杰半導(dǎo)體(浙江)有限公司

中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌
專注寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)、設(shè)計(jì)和產(chǎn)業(yè)化
主營(yíng)車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵功率器件
擁有國(guó)內(nèi)最全碳化硅功率器件目錄
成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商,國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一,參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件,其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1,其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲(chǔ)能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
樣品咨詢,請(qǐng)聯(lián)系:sales@pnjsemi.com


派恩杰半導(dǎo)體
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